centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150

centrotherm   SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150

centrotherm Activator 150 高温炉生产线专为硅-碳化合物（SiC）或镓-氮化合物（GaN） 设备的后植入烧结而设计开发。Activator 150 可用于多种类型炉体， 如研发炉和批量生产炉， 且处理灵活性高。centrotherm 的无金属加热装置的*特设计允许处理温度高达 1850 °C 同时缩短了工艺循环时间。由于占据空间小、购置成本低，所以 Activator 150 可实现生产具有成本效益。

特点：
高活化率
表面粗糙程度较小
温度较高达 1850°C
批量规模高达 50硅片（150mm）
加热率较高达 150 K/min
通过SiH4可实现硅“过压






Centrotherm 小批晕生产用垂直炉管CLV200,科研专属 
CLV200 小批晕生产用垂直炉管
I 适用于砫衬底的半导体集成电路的生产

centrotherm C LV 200 是一个独立的小批量晶圆 生产设备，能实现各项热处理工艺，适用于少量生产及 研发。
cent rot herm 工艺反应 腔体及加热系统有着*特的设计， zui高升温至 11 00 摄氏度。由于一炉尺寸较小（一批至多 50 片晶圆）， CLV 200 炉管能提供 非常灵活的常压及低压工艺，降低顾客研发费用。
cent rot herm 的设计在高效， 低耗上非常出色， 同时也具备了生产各种半导体器件的工艺灵活性。

常压工艺退火
氧化
扩散LPCVD PECVD
 Zui高温度可达 11 00° C
净化间占用面积小 [1.6 m叮
售 批量生产 100 mm 至200 mm 晶圆售 一批较高可处理 50 片晶圆
售 全自动 cassette -to-cassette 传片